STMicroelectronics STI300N4F6
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-10-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2022-11-11
LTD Date2023-05-11
Peças relacionadas
InfineonIPI120N04S401AKSA1
40V, N-Ch, 1.9 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO262-3-3, RoHS
InfineonAUIRFSL8407
MOSFET, 40V, 195A, Q101, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
InfineonIPI120N04S402AKSA1
40V, N-Ch, 2.1 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO262-3-3, RoHS
STMicroelectronicsSTI400N4F6
N-channel 40 V, 120 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in I2PAK package
NXP SemiconductorsBUK7E1R6-30E,127
Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
STMicroelectronicsSTI270N4F3
STMICROELECTRONICS STI270N4F3 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 40 V, 2.1 mohm, 10 V, 4 V
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STI300N4F6 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 40 V, 1.7 mOhm, 160 A, STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a I2PAK package
STI300N4F6 N-channel MOSFET Transistor, 160 A, 40 V, 3-Pin I2PAK
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)160 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time95 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max2.2 mΩ
Rise Time98 ns
Turn-Off Delay Time190 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height9.35 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant