STMicroelectronics STGYA50H120DF2
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGYA50H120DF2 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long
535W 100A 1.2kV FS(Field Stop) TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535W 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
535W 2.5V 2.6V@ 15V,50A 100A TO-247
TRANSISTOR, 1.2KV, 100A, MAX247;
TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 100A, MAX-247; Continuous Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.1V; Power Dissipation:535W; Collector Emitter Voltage Max:1.2kV; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.24%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Max Collector Current100 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation535 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Fichas técnicas e documentos
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