STMicroelectronics STGWT40HP65FB
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-07-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGWT40HP65FB fornecidas pelos seus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
TO-3P IGBT Transistors / Modules ROHS
IGBT Transistors PTD IGBT & IPM
IC XLATOR 4-BIT DUAL 11-FLIPCHIP
IGBT, 650V, 80A, 175DEG C, 283W; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 283W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-3P; No. of Pins: 3
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -12.40%
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation283 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Fichas técnicas e documentos
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