STMicroelectronics STGWT30HP65FB
$ 1.845
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | STGWT30HP65FB | 600 | 11h | |||||||||
| Verical | STGWT30HP65FB | 600 | 164 | |||||||||
| Avnet | STGWT30HP65FB | 0 | 600 | 13h | ||||||||
| Win Source | WS-STGWT30HP65FB | 18.000 | 65 | 12h | ||||||||
| Worldway Electronics | STGWT30HP65FB | 8.124 | 7 | Tube | 12h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-11-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-12-19
LTD Date2026-06-19
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGWT30HP65FB fornecidas pelos seus distribuidores.
IGBT TRENCH 650V 60A TO3P / IGBT Trench Field Stop 650 V 60 A 260 W Through Hole TO-3P
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Igbt |Stmicroelectronics STGWT30HP65FB
Short-circuit rugged IGBT, TO-3P, Tube
STMicroelectronics SCT
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Forward Current5 A
Forward Voltage2 V
Max Collector Current60 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation260 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080
Fichas técnicas e documentos
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