STMicroelectronics STGWA40H120DF2
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International RectifierIRG8P50N120KDPBF
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
onsemiNGTG40N120FL2WG
IGBT 1200V 40A TO-247 / IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 535 W Through Hole TO-247-3
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGWA40H120DF2 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Discrete IGBTs; STGWA40H120DF2; STMICROELECTRONICS; 1.2 kV; 80 A; 1.2 kV
Trench gate field-stop IGBT, TO-247 long leads, Tube
STMicroelectronics SCT
IGBT 1200V 40A 2,1V TO-247 long
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468W 2.1V 2.6V@ 15V,40A 80A TO-247-3 24.45mm
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Forward Current40 A
Forward Voltage3.9 V
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation468 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time488 ns