STMicroelectronics STGWA25M120DF3
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1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with UltraFast Soft Recovery Diode
InfineonIRG7PH35UDPBF
TUBE / 1200V Trench IGBT for Induction Cooking 50A COPAK-247 ;RoHS Compliant: Yes
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGWA25M120DF3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMICROELECTRONICS STGWA25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
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Igbt |Stmicroelectronics STGWA25M120DF3
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375W 1.85V 2.3V@ 15V,25A 50A TO-247 15.8mm*5mm*21mm
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IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage1.85 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Forward Current25 A
Forward Voltage2.95 V
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time265 ns
Schedule B8541290080
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