STMicroelectronics STGP4M65DF2
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-11-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGP4M65DF2 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0603 0.068uF 100volt X7S +/-10% Hi Rel
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, SINGLE, 650V, 8A, TO-220-3; DC Collector Current: 8A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 68W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -6.46%
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation68 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Fichas técnicas e documentos
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