STMicroelectronics STGP15M65DF2
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-11-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-12-19
LTD Date2026-06-19
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onsemiFGP15N60UNDF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 30A 178W TO220-3
STMicroelectronicsSTGF10H60DF
30W 20A 600V FS(Field Stop) TO-220FP IGBT Transistors / Modules ROHS
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGP15M65DF2 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE / IGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 136 W Through Hole TO-220
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low loss
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -93.18%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)650 V
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Forward Current15 A
Forward Voltage1.7 V
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation136 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time142 ns
Schedule B8541290080
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