STMicroelectronics STGP10NB60SD
$ 1.028
Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-STGP10NB60SD-ND | 838 | 1 | Tube | ||||||||
| Future Electronics | STGP10NB60SD | 0 | 50 | Tube | ||||||||
| Avnet | STGP10NB60SD | 0 | 1K | 15h | ||||||||
| Mouser | 511-STGP10NB60SD | 754 | 1 | Tube | ||||||||
| Farnell | STGP10NB60SD | 0 | 1 | 13h |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-12-19
LTD Date2026-06-19
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGP10NB60SD fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode
Insulated Gate Bipolar Transistor, 29A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH
IGBT, TO-220; DC Collector Current: 20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.7V; Power Dissipation Pd: 80W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins; Operating Tem
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.25 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Drain Current (ID)10 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Element ConfigurationSingle
Forward Current20 A
Forward Voltage1.9 V
Max Collector Current29 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation31.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Reverse Recovery Time37 ns
Rise Time460 ns
Turn-Off Delay Time1.2 µs
Turn-On Delay Time700 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant