STMicroelectronics STGP10H60DF
$ 0.736
Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STGP10H60DF | 276 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 497-14277-5-ND | 432 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STGP10H60DF | 0 | 1 | 16h | ||||||||
| Avnet | STGP10H60DF | 0 | 2K | 5h | ||||||||
| Future Electronics | STGP10H60DF | 0 | 50 | Tube |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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STGF10NB60SD Series 600 V 23 A Through Hole Silicon IGBT - TO-220FP
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGP10H60DF fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
H Series 600 V 20 A Through Hole Silicon IGBT - TO-220-3
STGP10H60DF, IGBT Transistor, 20 A 600 V, 1MHz, 3-Pin TO-220
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, SINGLE, 600V, 20A, TO-220AB; DC Collector Current: 20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.5V; Power Dissipation Pd: 115W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220AB; No. of P
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Tendência de 3 meses: -4.47%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.95 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Forward Current10 A
Forward Voltage1.7 V
Max Collector Current20 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation115 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time107 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant