STMicroelectronics STGF6M65DF2
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-02-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGF6M65DF2 fornecidas pelos seus distribuidores.
STGF6M65DF2 Series 650 V 6 A Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220FP
Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 24.2W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-220FP
IGBT Transistors PTD IGBT & IPM
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current12 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation24.2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
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