STMicroelectronics STGF4M65DF2
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-11-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2025-12-19
LTD Date2026-06-19
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGF4M65DF2 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Trans IGBT Chip N 650V 8A 3-Pin TO-220FP Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
M Series 650 V 8 A Through Hole Silicon IGBT - TO-220FP
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation23 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
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