STMicroelectronics STFI6N62K3

Name: STMicroelectronics STFI6N62K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STFI6N62K3

N-channel 620 V, 0.95 Ohm, 5.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Win Source	WS-STFI6N62K3	20	30				1,387	1,127	1,127	3h
Worldway Electronics	STFI6N62K3	26.932	7	Tube		0,282	0,274	0,259	0,259	2h
Utmel Electronic	2381-STFI6N62K3	818		Tube	2,220	2,094	1,976	1,758	1,758	12h
SHENGYU ELECTRONICS	STFI6N62K3	12.082	1		0,320	0,314	0,300	0,290	0,280	2d
Lixinc	STFI6N62K3	6.469			1,920	1,920	1,440	1,440	1,440	1d

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IHS

Datasheet19 páginas14 anos atrás

STMicroelectronics

Factory Futures

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-05-22

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-06-22

LTD Date2018-12-22

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Descrições

Descrições de STMicroelectronics STFI6N62K3 fornecidas pelos seus distribuidores.

N-channel 620 V, 0.95 Ohm, 5.5 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package

STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin TO-281 Tube

Avnet

MOSFET N-Ch 620 V 0.95 Ohm 5.5 A SuperMESH

Jak Electronics

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Win Source

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 620V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-281

IHS

MOSFET N-CHNL 620V 5.5A 3-PIN I2PAKFP

ACDS

Nomes alternativos do fabricante

STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

Modelos CAD

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Peças alternativas

0 peça disponível

Especificações técnicas

Physical

Case/PackageTO-262-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)5.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage620 V

Drain to Source Resistance1.2 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)620 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time20 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance875 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation30 W

Min Breakdown Voltage620 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation30 W

Rds On Max1.2 Ω

Rise Time12 ns

Turn-Off Delay Time49 ns

Turn-On Delay Time22 ns

Fichas técnicas e documentos

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IHS

Datasheet19 páginas14 anos atrás

STMicroelectronics

Factory Futures

Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSCompliant

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant