STMicroelectronics STFI10NK60Z

Name: STMicroelectronics STFI10NK60Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: STFI10NK60Z

N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in I2PAKFP package

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Win Source	WS-STFI10NK60Z	4.000	30				1,750	1,422	1,422	10h
Worldway Electronics	STFI10NK60Z	29.824	7	Tube		0,308	0,299	0,283	0,283	9h
Utmel Electronic	2381-STFI10NK60Z	1.327		Tube	2,940	2,773	2,616	2,328	2,328	19h
Lixinc	STFI10NK60Z	12.980			2,420	2,420	1,949	1,949	1,949	1d
SHENGYU ELECTRONICS	STFI10NK60Z	12.519	1		0,478	0,468	0,450	0,440	0,420	3d

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IHS

Datasheet13 páginas14 anos atrás

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Descrições

Descrições de STMicroelectronics STFI10NK60Z fornecidas pelos seus distribuidores.

N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in I2PAKFP package

STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) I2PAK FP Tube

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10 A 600 V 0.75 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET

Component Stockers USA

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET N-Ch 600V 0.65 Ohm 10A SuperMESH

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TRANS SUPERMESH PWR MOSFET N-CH 600V I2PAKFP

ACDS

Nomes alternativos do fabricante

STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

Modelos CAD

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Peças alternativas

0 peça disponível

Especificações técnicas

Physical

Case/PackageTO-262-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)10 A

Drain to Source Breakdown Voltage600 V

Drain to Source Resistance750 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Fall Time30 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance1.37 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation35 W

Min Breakdown Voltage600 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation35 W

Rds On Max750 mΩ

Rise Time20 ns

Turn-Off Delay Time55 ns

Turn-On Delay Time20 ns

Fichas técnicas e documentos

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IHS

Datasheet13 páginas14 anos atrás

Factory Futures

Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSNon-Compliant

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant