STMicroelectronics STF8NK100Z
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-11-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTP8NK80ZFP
N-channel 800 V, 1.3 Ohm, 6.2 A, TO-220FP Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
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STP7NK80ZFP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 5.2 A, 800 V, 3-PIN TO-220FP
onsemiFQPF9N90CT
MOSFET, N CH, 900V, 1.12OHM, 8A, TO-220F-3; Transistor Polarity:N Channel; Conti
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STF8NK100Z fornecidas pelos seus distribuidores.
STF8NK100Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.5 A, 1000 V, 3-PIN TO-220FP
Power MOSFET Transistors N-Ch 1000 V 1.6 Ohm 6.5 A SuperMESH
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
N-CHANNEL 1000V - 1.60Ohm - 6.5A - TO-220 - TO-220FP
STMicroelectronics NMOS MDmesh, SuperMESH, Vds=1000 V, 6.5 A, TO-220FP, , 3
MOSFET, N CH, 1000V, 6.5A, TO220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.5A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 1.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V;
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1000V, 1.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Current Rating6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage1 kV
Drain to Source Resistance1.85 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.18 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage1 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Rds On Max1.85 Ω
Resistance1.85 Ω
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time59 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Voltage Rating (DC)1 kV
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant