STMicroelectronics STF38N65M5
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STF38N65M5 | 575 | 1 | |||||||||
| TME | STF38N65M5 | 31 | 1 | 4h | ||||||||
| DigiKey | 497-13102-5-ND | 580 | 1 | Tube | ||||||||
| Avnet | STF38N65M5 | 0 | 1K | 7h | ||||||||
| Future Electronics | STF38N65M5 | 0 | 1K | Tube |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STF38N65M5 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP / N-Channel 650 V 30A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
STF38N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 30 A, 710 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 650V, 30A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:30A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF38N65M5
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance95 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max95 mΩ
Resistance95 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time66 ns
Turn-On Delay Time66 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant