STMicroelectronics STF11NM65N
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Obsolete
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0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para STMicroelectronics STF11NM65N.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-06-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTF15N65M5
N-channel 650 V, 0.308 Ohm typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF15NM65N
N-channel 650 V, 0.35 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF13N65M2
N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STF11NM65N fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.425 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 29nC@ 10 V 1N 650V 455m¦¸@ 5.5A,10V 11A 800pF@50V TO-220FP
12 A 650 V 0.38 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance800 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max455 mΩ
Resistance380 mΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant