STMicroelectronics STF100N10F7
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STF100N10F7 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220FP package
STF100N10F7 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 45 A, 100 V, 3-PIN TO-220FP
Mosfet, N-Ch, 100V, 45A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:45A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4.5V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF100N10F7
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.52%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.369 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max8 mΩ
Resistance80 mΩ
Rise Time40 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant