STMicroelectronics STD3N62K3
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STD3N62K3 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 620 V, 2.2 Ohm typ., 2.7 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package
STD3N62K3 N-channel MOSFET Transistor, 2.7 A, 620 V, 3-Pin TO-252
Power MOSFET, N Channel, 620 V, 2.7 A, 2.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
N-CHANNEL 620 V, 2.2 OHM, 2.7 A SUPERMESH3 DPAK POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 620V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 620V, 2.7A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:620V; On Resistance Rds(on):2.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:45W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Mosfet, N Ch, 620V, 2.7A, To-252, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:620V; Continuous Drain Current Id:2.7A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:45W; Product Range:-Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STD3N62K3
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -3.41%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance385 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation45 W
Rds On Max2.5 Ω
Resistance2.5 Ω
Rise Time6.8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant