STMicroelectronics STD16N65M5
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STD16N65M5 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.230 Ohm typ., 12 A MDmesh M5 Power MOSFET in DPAK pakage
STMicroelectronics N-Channel MOSFET MDmesh M5 Series Vds=650V 12A DPAK (TO-252) SMD 3-Pin
STD16N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 12 A, 650 V, 3-PIN TO-252
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.279ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 650V, 12A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.23ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power D
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Tendência de 3 meses: -8.83%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance279 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation90 W
Rds On Max299 mΩ
Resistance299 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant