STMicroelectronics STD11N65M5
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STD11N65M5 | 704 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | STD11N65M5 | 2.500 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | STD11N65M5 | 2.430 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 497-12935-1-ND | 2.831 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STD11N65M5 | 0 | 5 | Bulk | 19h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STD11N65M5 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.43 Ohm typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFET in DPAK package
STD11N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 9 A, 710 V, 3-PIN DPAK
MOSFET N CH 650V 9A DPAK / Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 650V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 650V, 9A, 85W, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.43ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Po
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance480 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance620 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation85 W
Rds On Max480 mΩ
Resistance480 MΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant