STMicroelectronics STD11N50M2
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Ficha técnica oficial4 anos atrás
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STD11N50M2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK / Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 8A, 150度 C, 85W;
85W(Tc) 25V 4V@ 250µA 12nC@ 10 V 1individualNChannel 500V 530mΩ@ 4A,10V 8A 395pF@100V TO-252 SMD mount
MOSFET, N-CH, 500V, 8A, 150DEG C, 85W;
Power MOSFETs, 500V, 8A, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -70.05%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance530 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Input Capacitance395 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max530 mΩ
Schedule B8541290080
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant