STMicroelectronics STD10N60M2
$ 0.544
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +2.65%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para STMicroelectronics STD10N60M2.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de STMicroelectronics STD10N60M2 direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTD11NM50N
N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD10NM50N
STMICROELECTRONICS STD10NM50N MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
VishaySIHD7N60E-GE3
VISHAY SIHD7N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STD10N60M2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 7.5 A, 600 MilliOhms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
STD10N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7.5 A, 650 V, 3-PIN DPAK
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 600V, 7.5A, TO-252; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:7.5A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +2.65%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max600 mΩ
Resistance600 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time32.5 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para STMicroelectronics STD10N60M2.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant