STMicroelectronics STB75NF75T4
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
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STMicroelectronicsSTB85NF55T4
STB85NF55T4 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 55 V, 3-Pin D2PAK
InfineonIRF2807SPBF
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InfineonIRF2807STRRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 13 Milliohms;ID 82A;D2Pak;PD 230W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTB80NF55-08T4
N-channel 55 V, 0.0065 Ohm typ., 80 A STripFET Power MOSFET in a D2PAK package
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STB75NF75T4 fornecidas pelos seus distribuidores.
N channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in D2PAK package
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFETs, 75V, 80A, D2PAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
场效应管, MOSFET, N沟道, 75V, 80A, 175度 C, 300W;
MOSFET, N-CH, 75V, 80A, 175DEG C, 300W;
MOSFET N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IC REG QUAD BUCK/LNR SYNC 48LQFP
STB75NF75 - N CHANNEL 75 V, STRIPFET II
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max11 mΩ
Resistance11 mΩ
Rise Time100 ns
Turn-Off Delay Time66 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant