STMicroelectronics STB75NF75T4
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Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STB75NF75T4 | 734 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | STB75NF75T4 | 1.892 | 1 | |||||||||
| Verical | STB75NF75T4 | 2.000 | 1K | |||||||||
| Future Electronics | STB75NF75T4 | 9.000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Rochester Electronics | STB75NF75T4 | 1.995 | 23h |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 13 Milliohms;ID 82A;D2Pak;PD 230W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTB80NF55-08T4
N-channel 55 V, 0.0065 Ohm typ., 80 A STripFET Power MOSFET in a D2PAK package
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STB75NF75T4 fornecidas pelos seus distribuidores.
N channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in D2PAK package
Mosfet, N-Ch, 75V, 80A, 175Deg C, 300W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB75NF75T4
300W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 160nC@ 10 V 1N 75V 11m¦¸@ 40A,10V 80A 3.7nF@25V D2PAK 4.83mm
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max11 mΩ
Resistance11 mΩ
Rise Time100 ns
Turn-Off Delay Time66 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant