Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para STMicroelectronics STB50NE10.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2005-08-24
LTD Date2006-02-24
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STB50NE10 fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Resistance27 mΩ
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation180 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Rise Time100 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para STMicroelectronics STB50NE10.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant