STMicroelectronics STB28N60M2
$ 0.87
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STB28N60M2 | 2.000 | 1K | |||||||||
| Verical | STB28N60M2 | 2.000 | 1K | |||||||||
| TME | STB28N60M2-STM-0 | 2.000 | 1K | 13h | ||||||||
| DigiKey | 497-14972-1-ND | 1.905 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | STB28N60M2 | 0 | 1K | Tape & Reel |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +9.68%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de STMicroelectronics STB28N60M2 direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTB33N60DM2
N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
VishaySIHB28N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK / N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
STMicroelectronicsSTB26NM60ND
N-channel 600 V, 0.145 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK package
VishaySIHB23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK / N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
STMicroelectronicsSTB20N65M5
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
InfineonIPB65R125C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK / N-Channel 650 V 18A (Ta) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STB28N60M2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
N-Channel 600 V 22 A 0.15 Ohm Surface Mount MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
170W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 36nC@ 10 V 1N 600V 150m¦¸@ 11A,10V 22A 1.44nF@100V D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +9.68%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.44 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max150 mΩ
Rise Time7.2 ns
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time14.5 ns
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant