STMicroelectronics STB18NF25
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF640NSTRRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;D2Pak;PD 150W;VGS +/-20V;-55
InfineonIRF9540NSTRRPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK "P-Channel 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK"
STMicroelectronicsSTB55NF06T4
N-Channel 60V - 0.017Ohm - 50A - D2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
InfineonIRF9Z34NSTRRPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK "P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK"
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STB18NF25 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
N-Channel MOSFET 250V 17A 110W(Tc) 4V@250µA 29.5nC@10V 165mΩ@8.5A,10V 1nF@25V TO-263 SMD
Automotive-grade N-channel 250 V, 0.14 Ohm, 17 A low gate charge STripFET II Power MOSFET in D2PAK package
N-Channel 250 V 165 mOhm 17 A Surface Mount Power MOSFET - D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 250V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance165 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max165 mΩ
Resistance165 MΩ
Rise Time17.2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant