STMicroelectronics SGT105R70ILB
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics SGT105R70ILB fornecidas pelos seus distribuidores.
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 21.7 A, 0.105 ohm, 4.8 nC, PowerFLAT HV, Surface Mount
SGT Series 700 V 21.7A 105 mOhm SMT E-Mode PowerGaN Transistor - PowerFLAT-8
GAN TRANSISTOR 700V POWERQFN 8
GAN TRANSISTOR, 700V, 21.7A, POWERFLATHV;
Power Field-Effect Transistor, 21.7A I(D), 700V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, High Electron Mobility FET
STMicroelectronics SGT105R70ILB トランジスタ
700 V, 80 MOHM TYP., 21.7 A, E-M
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)21.7 A
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)700 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation158 W
Min Breakdown Voltage700 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1