STMicroelectronics SD56120

Name: STMicroelectronics SD56120
Brand: STMicroelectronics
SKU: SD56120

120W 28V HF to 1GHz LDMOS TRANSISTOR in push-pull package

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Microchip USA	SD56120	295	20	Tray			123,05	123,05	123,05	3d
Worldway Electronics	SD56120	20.583	7			48,838	47,343	44,851	44,851	2d
Aztech	SD56120	12.012			3,440	3,440	3,440	3,440	3,440	2d
Win Source	WS-SD56120	20								7h
Chipsmall Limited	SD56120	20.000	1		148,19	115,26	90,563	82,330	82,330	2d

Modelos CAD

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Peças alternativas

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Fichas técnicas e documentos

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Factory Futures

Datasheet15 páginas20 anos atrás

IHS

Nu Horizons

iiiC

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)

LTB Date2019-05-29

LTD Date2019-11-29

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Descrições

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Verical

RF & Microwave Transistors N-Ch 65 Volt 14 Amp

Mouser

RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Memory |Stmicroelectronics SD56120

Newark

Imagens

Lanka Micro

UTSource

Nomes alternativos do fabricante

STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

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Peças alternativas

0 peça disponível

Especificações técnicas

Physical

Case/PackageM

MountScrew

Number of Pins5

Number of Terminals4

Technical

Continuous Drain Current (ID)14 A

Current Rating14 A

Drain to Source Breakdown Voltage65 V

Drain to Source Voltage (Vdss)65 V

Element ConfigurationDual

Frequency860 MHz

Gain14 dB

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance82 pF

Max Frequency860 MHz

Max Operating Temperature200 °C

Max Output Power100 W

Max Power Dissipation217 W

Min Breakdown Voltage65 V

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements2

Output Power100 W

Power Dissipation217 W

Test Current400 mA

Test Voltage28 V

Voltage Rating65 V

Voltage Rating (DC)65 V

Fichas técnicas e documentos

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Factory Futures

Datasheet15 páginas20 anos atrás

IHS

Nu Horizons

iiiC

Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant