STMicroelectronics ESM2012DV
Obsolete
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
Descrições
Descrições de STMicroelectronics ESM2012DV fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 120A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 4 Pin
TRANSISTOR, DARLINGTON SOT-227; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 125V; DC Collector Current: 120A; DC Current Gain hFE: 1200hFE; Transistor Case Style: SOT-227; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015);
DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-227; Transistor Type:Bipolar Darlington; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:125V; Current Ic Continuous a Max:120A; Voltage, Vce Sat Max:1.5V; Power Dissipation:175W; Min ;RoHS Compliant: Yes
DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-227; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:125V; Power Dissipation Pd:175W; DC Collector Current:120A; DC Current Gain hFE:1200; Transistor Case Style:ISOTOP; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Av Current Ic:120A; Collector Emitter Voltage Vces:1.5V; Continuous Collector Current Ic Max:120A; Current Ib:2A; Current Ic Continuous a Max:120A; Current Ic hFE:120A; External Depth:38.2mm; External Length / Height:12.2mm; External Width:25.4mm; Hfe Min:1200; Hfe Typ:1200; No. of Transistors:1; Package / Case:ISOTOP; Pin Configuration:b; Power Dissipation Pd:175W; Power Dissipation Ptot Max:175W; Pulsed Current Icm:128A; Termination Type:Screw; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:150V
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
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Modelos CAD
0 modelos disponíveis
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageModule
Contact PlatingNickel
MountChassis Mount, Screw
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)125 V
Current Rating120 A
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Fall Time300 ns
hFE Min1200
Max Collector Current120 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation175 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation175 W
Voltage Rating (DC)120 V
Dimensions
Width25.4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant