STMicroelectronics BUL1203E
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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1Ã×A 400V 75W 4A 8@2A5V 4MHz 1V@4A1A NPN +150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
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TRANS NPN 400V 2A TO220-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 2 A 50 W Through Hole TO-220-3
Descrições
Descrições de STMicroelectronics BUL1203E fornecidas pelos seus distribuidores.
550V 100W 5A 9@2A5V 1.5V@3A1A NPN +150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
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Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.16%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage550 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)550 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
hFE Min9
Max Collector Current5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation100 W
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant