STMicroelectronics 2STF1360
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics 2STF1360 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single Bipolar Transistor, NPN, 60 V, 3 A, 1.4 W, SOT-89, 3 Pins, Surface Mount
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2STF1360 Series NPN 60 V 3 A Fast Switching Power Transistor - SOT-89
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STMicroelectronics SCT
Bipolar (BJT) single-bipolar transistor
TRANSISTOR, BJT, NPN, 60V, 3A, SOT-89-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:130MHz; Power Dissipation Pd:1.4W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:80hFE; Transistor Case RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 3 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 60 / DC Current Gain (hFE) = 400 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 80 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 6 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 130 / Power Dissipation (Pd) W = 1.4 / Package Type = SOT-89 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 500 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) V = 1.2
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage180 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency130 MHz
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min160
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency130 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.4 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency130 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant