STMicroelectronics 2SB772
Obsolete
Preço e estoque
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Peças alternativas
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Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 SnapEDA | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-08-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-06-25
LTD Date2013-12-25
Descrições
Descrições de STMicroelectronics 2SB772 fornecidas pelos seus distribuidores.
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, PNP, POWER, SWITCH, VCEO -30V, IC -3A, PD 12.5W, SOT-32,HFE 30
PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 30V 3A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Bipolar Transistor, Pnp, -30V; Transistor, Polaridad:Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:-30V; Frecuencia De Transición Ft:100Mhz; Disipación De Potencia Pd:12.5W; Corriente De Colector Dc:-3A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:100 |Stmicroelectronics 2SB772
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
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Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-32
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min30
Max Collector Current3 A
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation12.5 W
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height11.05 mm
Length7.8 mm
Width2.9 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant