STARPOWER GD30PJX65L2S
$ 32.79
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Tendência de 3 meses: -14.29%
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Descrições
Descrições de STARPOWER GD30PJX65L2S fornecidas pelos seus distribuidores.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
Starpower GD30PJX65L2S IGBTモジュール
晶体管, IGBT 模块, 650V, 55A, 163W;
IGBT, PIM, 650V, 55A, MODULE; Continuous Collector Current:55A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.45V; Power Dissipation:163W; Operating Temperature Max:150°C; IGBT Termination:Solder; Collector Emitter Voltage Max:650V RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
STARPOWER possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STARPOWER também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
- STARPOWER SEMICONDUCTOR
- StarPower Europe AG
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals23
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage1.9 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current55 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation163 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements7
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