S2M0120120J by Sangdest Microelectronics

Sangdest Microelectronics S2M0120120J

Name: Sangdest Microelectronics S2M0120120J
Brand: Sangdest Microelectronics
SKU: S2M0120120J

Mosfet Silicon Carbide Sic 1200V

$ 2.965

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey		1655-S2M0120120J-ND	300	1	Tube	7,510	5,068	3,688	2,911	2,879
TME	4	S2M0120120J-SMC	48	1		5,650	3,890	3,370	3,020	3,020	4h
Bettlink		S2M0120120J	220			6,158	5,402	4,911	4,330	4,085	21h

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TME

Datasheet10 páginas2 anos atrás

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Cadeia de suprimentos

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2024-01-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Descrições

Descrições de Sangdest Microelectronics S2M0120120J fornecidas pelos seus distribuidores.

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

Ansinor

Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

IHS

Nomes alternativos do fabricante

Sangdest Microelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Sangdest Microelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes: