Samsung IRF820
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Tendência de 3 meses: -0.87%
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Samsung IRF820.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1986-04-01
Descrições
Descrições de Samsung IRF820 fornecidas pelos seus distribuidores.
2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET in TO-220
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Nomes alternativos do fabricante
Samsung possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Samsung também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- SAM
- SEC
- Samsung Semiconductor Inc
- Samsung Semiconductor
- SAMSUN
- SAMSUNG ELECTRONICS
- SAMS
- SAMSUNG LED
- SAMSUMG
- SAMSU
- SUMSUNG
- SMG
- KOREA
- SAMAUNG
- SMS
- SAMSUNG SEMI
- SAMSUNG ELECTRONICS INC
- Samsung Electronics Co Ltd
- SAMSUNG SEMICONDUCTO
- SAMSUNG ELECTRO
- SAMUNG
- SANSUNG
- Samsung Electronics (SEC)
- SMM
- SLD
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.87%
Modelos CAD
0 modelos disponíveis
Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Resistance3 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Fichas técnicas e documentos
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