ROHM RUF015N02TL
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NRND
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-07-12
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
Peças relacionadas
onsemiMCH6626-TL-E
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 1.6 A, 1.6 A, 0.18 ohm
VishaySI5855CDC-T1-E3
SI5855CDC-T1-E3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 20 V, 8-PIN 1206 CHIPFET
VishaySI5933CDC-T1-GE3
SI5933CDC-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 20 V, 8-PIN 1206 CHIPFET
Descrições
Descrições de ROHM RUF015N02TL fornecidas pelos seus distribuidores.
RUF015N02 Series N-Channel 20 V 180 mOhm MosFet Surface Mount - TUMT-3
800mW(Ta) 10V 1V@1mA 2.5nC@ 4.5 V 1N 20V 180m¦¸@ 1.5A,4.5V 1.5A 110pF@10V 820¦Ìm
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 3-Pin TUMT T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
20V 1.5A 180mΩ@1.5A,4.5V 800mW 1V@1mA N Channel 110pF@10V 2.5nC@4.5V +150℃@(Tj) TUMT3 MOSFETs ROHS
Mosfet, n Ch,20V,1.5A, tumt3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(On):0.13Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:-; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Rohm RUF015N02TL
Nomes alternativos do fabricante
ROHM possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. ROHM também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -1.62%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance240 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance110 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation800 mW
Rds On Max180 mΩ
Resistance180 MΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height770 µm
Length2 mm
Width1.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant