ROHM RU1J002YNTCL
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Descrições
Descrições de ROHM RU1J002YNTCL fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 50 V 2.2 Ohm 150 mW SMT Small Signal Mosfet - UMT-3F
Trans MOSFET N-CH 50V ±0.2A 3-Pin SOT-323FL T/R
Avnet Japan
50V 200mA 1.6Ω@4.5V,200mA 150mW N Channel SOT-323(SC-70) MOSFETs ROHS
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ROHM NChannel EnhancedMOSTube RU1J002YNseries, Vds=50 V, 200 mA, SOT-323encapsulation, surface mount, 3Pin
MOSFET, N-CH, 50V, 0.2A, SOT-323FL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):1.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800mV
Nomes alternativos do fabricante
ROHM possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. ROHM também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins85
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance2.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance26 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation150 mW
Rds On Max2.2 Ω
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height1.05 mm
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