ROHM RGS80TSX2DHRC11
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-04-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Descrições
Descrições de ROHM RGS80TSX2DHRC11 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Igbt, Aec-Q101, 1.2Kv, 80A, 175Deg C Rohs Compliant: Yes |Rohm RGS80TSX2DHRC11
555W 80A 1.2kV FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
IGBT, AEC-Q101, 1.2KV, 80A, 175DEG C; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.7V; Power Dissipation Pd: 555W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247N; No. o
Nomes alternativos do fabricante
ROHM possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. ROHM também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.54%
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation555 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Fichas técnicas e documentos
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