ROHM RE1C002UNTCL
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Ficha técnica oficial2 anos atrás
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
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 SnapEDA | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-08-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Descrições
Descrições de ROHM RE1C002UNTCL fornecidas pelos seus distribuidores.
RE1C002UN Series 20 V 1.2 Ohm 200 mA Surface Mount Small Signal Mosfet - EMT-3F
ROHM N-Channel MOSFET, RE1C002UN Series, Vds=20V, 200mA, SC-75, SMD, 3-Pin
MOSFET, N-CH, 20V, 0.2A, 150DEG C, 0.15W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.5V; Threshold Voltage Vgs
Transistors - FETs, MOSFETs - Single 1 (Unlimited) SC-89, SOT-490 Surface Mount MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Cut Tape (CT) 1.2 Ω @ 100mA, 2.5V 200mA Ta 150°C TJ MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:200Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:2.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V; Power Dissipation:150Mw; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Rohm RE1C002UNTCL.
Nomes alternativos do fabricante
ROHM possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. ROHM também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -14.33%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance25 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation150 mW
Rds On Max1.2 Ω
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height850 µm
Fichas técnicas e documentos
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