ROHM RD3L03BATTL1
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Descrições
Descrições de ROHM RD3L03BATTL1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Pch -60V -35A Power MOSFET TO-252
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.041ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
场效应管, MOSFET, P沟道, 60V, 35A, TO-252;
ROHM PMOS, Vds=60 V, 35 A, DPAK (TO-252), , 3
MOSFET, P-CH, 60V, 35A, TO-252; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:35A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
ROHM possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. ROHM também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Resistance41 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation56 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Fichas técnicas e documentos
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