ROHM RD3G07BATTL1
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Descrições
Descrições de ROHM RD3G07BATTL1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 70 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Transistor MOSFET P-Channel -40V ±70A 3-Pin TO-252 T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0071ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, P-CH, 40V, 70A, TO-252; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:70A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
ROHM possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. ROHM também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Drain to Source Resistance7.1 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation101 W
Min Breakdown Voltage40 V
Number of Elements1
Fichas técnicas e documentos
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