ROHM R6047ENZ1C9
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-04-15
LTD Date2020-06-30
Peças relacionadas
InfineonIPW60R070P6XKSA1
600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET, / N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
STMicroelectronicsSTW48N60DM2
N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
STMicroelectronicsSTW56N65DM2
N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
STMicroelectronicsSTW42N65M5
N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 33 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
Descrições
Descrições de ROHM R6047ENZ1C9 fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 600V 47A TO247 / Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
POWER MOSFET SERIES LOW NOISE
Mosfet, N-Ch, 600V, 47A, To-247; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:47A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.066Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
ROHM possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. ROHM também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)47 A
Drain to Source Resistance72 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.85 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max72 mΩ
Rise Time100 ns
Threshold Voltage4 V
Fichas técnicas e documentos
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