ROHM DTDG14GPT100

Name: ROHM DTDG14GPT100
Brand: ROHM
SKU: DTDG14GPT100

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff		ST73460545	984	1		0,256	0,256	0,219	0,163	0,158	14h
Verical	2	DTDG14GPT100	6.400	100				0,278	0,278	0,278
Arrow Electronics		DTDG14GPT100	3	1		0,127	0,127	0,127	0,127	0,127
DigiKey	3	DTDG14GPT100CT-ND	5.240	1	Cut Tape	0,930	0,580	0,376	0,288	0,288
TME	2	DTDG14GPT100	0	1		0,589*	0,365*	0,276*	0,224*	0,200*	9h

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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75

Introduction Date1995-04-01

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 110

Detalhes

Descrições

Descrições de ROHM DTDG14GPT100 fornecidas pelos seus distribuidores.

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

IHS

Trans Digital BJT NPN 70V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

Verical

DTDG14GP Series 60 V 1 A Surface Mount NPN Digital Transistor - SC-62

Future Electronics

400mV@ 5mA,500mA NPN - Pre-Biased 2W 5V 500nA 60V 1A MPT-3 4.5mm*2.5mm*1.5mm

UnikeyIC

Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:400mV; Power Dissipation:500mW; Min Hfe:300; ft, Typ:80MHz; Case Style:SOT-89; Termination Type:SMD

SHENGYU ELECTRONICS

element14 APAC

TRANSISTOR; DIGITAL;POWER;MPT;NPN; Transistor Type:General Purpose; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:400mV; Power Dissipation:500mW; Min ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANSISTOR; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 1A; Base Input Resistor R1: -; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: -; RF Transistor Case: SOT-89; No. of Pins: 3 Pin; Product Range: DTDG14G Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 400mV; Current Ic Continuous a Max: 500mA; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 300hFE; Gain Bandwidth ft Typ: 80MHz; Hfe Min: 300; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Power Dissipation Pd: 500mW; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Case Style: SOT-89; Transistor Polarity: NPN; Transistor Type: General Purpose; Transition Frequency ft: 80MHz

Farnell

Imagens

element14 APAC

Future Electronics

TME

Nomes alternativos do fabricante

ROHM possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. ROHM também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

Rohm Semiconductor
ROHM CO LTD
RHOM
ROH
RHM
ROHM ELECTRONICS
ROM
ROMH
ROHS
ROHN
ROHM SEMI
ROHM Semicon
ROHM CORPORATION
ROHM CORP
MIYA
Rohm Company Limited
ROHM CO
ROHM ELEC
ROHM Semiconductors
ROHM ELECTRO
ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
ROHM COMPANY LTD
ROHM INC
ROHM/MISC
ROHM/NONE

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

DTDG14GP T100

Histórico de estoque

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageSC

MountSurface Mount

Number of Terminals3

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage60 V

Collector Emitter Saturation Voltage400 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)70 V

Continuous Collector Current1 A

Current Rating1 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

hFE Min300

Max Breakdown Voltage60 V

Max Collector Current1 A

Max Operating Temperature150 °C

Max Output Current1 A

Max Power Dissipation2 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Operating Supply Voltage60 V

PackagingCut Tape

PolarityNPN

Power Dissipation2 W

TerminationSMD/SMT

Transition Frequency80 MHz

Voltage Rating (DC)60 V

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Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant