ROHM DTD113ZUT106
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Descrições
Descrições de ROHM DTD113ZUT106 fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
TRANSISTOR,NPN,50V,0.5A,SOT-323; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 500mA; Base Input Resistor R1: 1kohm; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm; Resis
TRANSISTOR,NPN,50V,0.5A,SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:82; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Gain Bandwidth ft Typ:200MHz
Nomes alternativos do fabricante
ROHM possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. ROHM também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min82
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant