ROHM BSM180D12P3C007
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-07-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Descrições
Descrições de ROHM BSM180D12P3C007 fornecidas pelos seus distribuidores.
2N-Channel 1200 V 180 A 880 W Chassis Mount Mosfet Array - Module
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 180A 10-Pin Tray
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
SiC-N-Ch-Half-Bridge+2xSBD 1200V 180A C-
SIC MOSFET, DUAL N CHANNEL, 1.2KV, 180A;
场效应管, SIC MOSFET, 双 N 沟道, 1.2KV, 180A;
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
ROHM NSiC BSM, Vds=1200 V, 180 A, C, , 4
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 180A, MODULE; MOSFET Module Configuration:Half Bridge; Channel Type:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; No. of Pins:-; Rds(on) Test Voltage:-; Product Range:- RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
ROHM possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. ROHM também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +81.48%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals10
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Input Capacitance900 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation880 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Number of Elements2
Fichas técnicas e documentos
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