ROHM BSM180D12P2C101
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de ROHM BSM180D12P2C101 fornecidas pelos seus distribuidores.
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 204 A, 1.2 kV, Module, 10 Pins
1.36KW 23nF@10V 1.13KW 1 204A 1.2KV 4V@35.2mA 22V 2N 122mm*45.6mm*21.1mm
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 204A 10-Pin Tray
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
Compliant Screw 45.6 mm 21.1 mm 122 mm No SVHC 2.7 V Module
SiC-N-Ch-Half-Bridge 1200V 204A C-Pack
MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; Continuous Drain Current Id:180A; On Resistance Rds(On):-; Rds(On) Test Voltage Vgs:-; Threshold Voltage Vgs:2.7V; Power Dissipation Pd:1.13Kw; Product Range:-; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
ROHM possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. ROHM também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageModule
MountScrew
Number of Pins10
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Gate to Source Voltage (Vgs)22 V
Input Capacitance23 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.13 kW
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-40 °C
Nominal Vgs2.7 V
Number of Channels1
Number of Elements2
Threshold Voltage2.7 V
Dimensions
Height21.1 mm
Length122 mm
Width45.6 mm
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