ROHM 2SD2700TL
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Peças relacionadas
ToshibaMT3S20TU(TE85L)
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
Descrições
Descrições de ROHM 2SD2700TL fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 12V 2A 800mW 3-Pin TUMT T/R
180mV@ 50mA,1A NPN 800mW 6V 100nA 15V 12V 2A SOT-323-3 2mm*1.7mm*770¦Ìm
Transistor, Npn, 12V, 2A, Sot-323T; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:12V; Transition Frequency Ft:360Mhz; Power Dissipation Pd:400Mw; Dc Collector Current:2A; Dc Current Gain Hfe:270Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Rohm 2SD2700TL
Nomes alternativos do fabricante
ROHM possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. ROHM também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingCopper, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins70
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)15 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product360 MHz
hFE Min270
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Transition Frequency360 MHz
Voltage Rating (DC)12 V
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