ROHM 2SC5662T2LP
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Descrições
Descrições de ROHM 2SC5662T2LP fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Npn, 11 V, 3.2 Ghz, 150 Mw, 10 Ma, 56 Rohs Compliant: Yes |Rohm 2SC5662T2LP
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN
2SC5662 Series 11 V 50 mA SMT NPN High-Frequency Amplifier Transistor - VMT-3
TRANSISTOR VMT3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 11V; Transition Frequency ft: 3.2GHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 10mA; DC Current Ga; Available until stocks are exhausted
Nomes alternativos do fabricante
ROHM possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. ROHM também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-723
Contact PlatingCopper, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage11 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)11 V
Continuous Collector Current50 mA
Current Rating50 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)3 V
Gain Bandwidth Product3.2 GHz
hFE Min56
Max Breakdown Voltage11 V
Max Collector Current50 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency3.2 GHz
Voltage Rating (DC)11 V
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant