Rochester Electronics MPSH10
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
Descrições
Descrições de Rochester Electronics MPSH10 fornecidas pelos seus distribuidores.
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-226AA
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 25V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Transition Frequency Typ ft:650MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:50mA; DC Current Gain hFE:60
NPN RF Transistor This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers, with collector currents in the 100 mA to 20 mA range in common emitter or common base mode of operations, and in low frequency drift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42.
Nomes alternativos do fabricante
Rochester Electronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Rochester Electronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Rochester Electronics LLC
- ROCHESTER
- ROCHESTER ELECTRONIC
- ROCHESTER ELECTRONICS INC
- ONSEMI (VIA ROCHESTER)
- Rochester Electron
- ROCHESTER(REI)
- ROCHESTER INSTRUMENT
- REI
- Triscend Corp
- NFROCHESTER
- ROCHESTER ELECT INC
- Rochester(Intersil)
- Rochester Elec
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating50 mA
hFE Min60
Max Collector Current40 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Transition Frequency650 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Fichas técnicas e documentos
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